Field note

Maxwell's_Equations

Maxwell’s Equations

电磁学基本方程

四个方程(真空中):

  • 电场高斯定理:
EdA=q0ϵ0\iint \vec{E} \cdot d \vec{A} = \frac{q_{0}}{\epsilon_{0}}
  • 磁场高斯定理:
BdA=0\iint \vec{B} \cdot d \vec{A} = 0\notag
  • 法拉第电磁感应定律:
Edl=dϕBdt=BtdA\oint \vec{E} \cdot d \vec{l} = -\frac{d\phi_{B}}{dt} = -\iint \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \cdot d \vec{A}\notag
  • 安培环路定律:
Bdl=μ0i\oint \vec{B} \cdot d\vec{l} = \mu_{0}i\notag

电介质中:

引入极化强度矢量P\vec{P},电位移矢量D\vec{D},介电常数κe\kappa_{e},电流密度J\vec{J},磁感应强度B\vec{B},磁场强度H\vec{H},磁化强度M\vec{M}.它们有如下的关系:

D=ϵ0E+P=(1+χe)ϵ0E=κeϵ0EJ0=σE(欧姆定律微分形式)\vec{D} = \epsilon_{0} \vec{E} + \vec{P} = (1 + \chi_{e})\epsilon_{0} \vec{E} = \kappa_{e} \epsilon_{0} \vec{E} \vec{J_{0}} = \sigma \vec{E}(欧姆定律微分形式)\notag H=Bμ0M\vec{H} = \frac{\vec{B}}{\mu_{0}} - \vec{M} M=χmHB=μ0(H+M)=μ0(1+χm)H=μ0κmH\vec{M} = \chi_{m}\vec{H} \Rightarrow \vec{B} = \mu_{0}(\vec{H} + \vec{M}) = \mu_{0}(1 + \chi_{m})\vec{H} = \mu_{0}\kappa_{m}\vec{H}\notag

从而引入新方程:

DdA=q0\iint \vec{D} \cdot d\vec{A} = q_{0} BdA=0\iint \vec{B} \cdot d \vec{A} = 0 Edl=BtdA\oint \vec{E} \cdot d \vec{l} = - \iint \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \cdot d \vec{A} Hdl=JdA\oint \vec{H} \cdot d \vec{l} = \iint \vec{J} \cdot d \vec{A}\notag

把它变成微分形式:

{D=ρe0B=0×E=Bt×H=j0\left\{ \begin{matrix} \nabla \cdot \vec{D} = \rho_{e0} \\ \nabla \cdot \vec{B} = 0 \\ \nabla \times \vec{E} = -\frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \\ \nabla \times \vec{H} = \vec{j_{0}} \end{matrix} \right.\notag

对称性原则:科学家希望世界是对称的,磁场和电场也一样

所以科学家引入磁荷qmq_{m}对方程修正

{BdA=0Edl=BtdA{BdA=qmEdl=dqmdtBtdA\left \{ \begin{matrix} \iint \vec{B} \cdot d \vec{A} = 0 \\ \oint \vec{E} \cdot d \vec{l} = - \iint \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \cdot d \vec{A} \end{matrix} \right. \rightarrow \left \{ \begin{matrix} \iint \vec{B} \cdot d \vec{A} = q_{m} \\ \oint \vec{E} \cdot d \vec{l} = \frac{dq _{m}}{dt} - \iint \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \cdot d \vec{A} \end{matrix} \right.\notag

Stokez公式与麦克斯韦方程

先用电场的环路定理,然后用斯托克斯公式变成面积分

Hdl=i0=S2j0dA\oint \vec{H} \cdot d \vec{l} = i_{0} = \iint_{S_{2}} \vec{j_{0}} \cdot d \vec{A} S1j0dA=S2j0A=i0\iint_{S_{1}} \vec{j_{0}} \cdot d \vec{A} = \iint_{S_{2}} \vec{j_{0}} \cdot \vec{A} = i_{0} Sj0A=S1j0dA+S2j0dA=0\iint_{S} \vec{j_{0}} \cdot \vec{A} = \iint_{S_{1}} \vec{j_{0}} \cdot d \vec{A} + \iint_{S_{2}} \vec{j_{0}} \cdot d \vec{A} = 0\notag

!!! note 第二个式子是分别对两个曲面用环路定理,都等于i0i_{0},然后把左边的关于s1s_{1}的积分移到右边去,相当于两个半个面合并为一个闭合曲面,最终结果等于零.

只要任何一个闭合曲面的积分,电流流进去和流出来的相等,那我任意取面,上边的公式都是成立的.

但是这个结论对于电容器充电过程并不成立.

!!! warning 对于上边的电容器充电过程,电流从左边流入,右边流出.对于(1,2),(1,4)(1,2),(1,4)构成的曲面,流进去和流出来是相等的,曲面积分为0.但是由于电容器两极板间没有电流,所以(1,3)(1,3)构成的曲面,流入流出的电流并不相等,曲面积分不为0,不好.

所以自然引入位移电流iDi_{D}

Hdl=I0+ID\oint \vec{H} \cdot d \vec{l} = I_{0} + I_{D}\notag

我们想要知道IDI_{D}到底是什么,从曲面积分出发

对于(1,3)(1,3)曲面,记为SS,电流只进不出

SJdA=dqdt(电流定义)\iint_{S} \vec{J} \cdot d \vec{A} = -\frac{dq}{dt} (电流定义) SDdA=q(高斯定律)\iint_{S} \vec{D} \cdot d \vec{A} = q (高斯定律) q微分dqdt=ddtSDdA=SDtdA对q微分 \\ \Rightarrow \frac{dq}{dt} = \frac{d}{dt} \iint_{S} \vec{D} \cdot d \vec{A} = \iint_{S} \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \cdot d \vec{A}\notag

带回第一个式子

SJdA=SDtdA\iint_{S} \vec{J} \cdot d \vec{A} = - \iint_{S} \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \cdot d \vec{A} S(j0+Dt)dA=0\iint_{S}(\vec{j_{0}} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t}) \cdot d \vec{A} =0 S1(j0+Dt)dA=S3(j0+Dt)dA- \iint_{S_{1}}(\vec{j_{0}} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t}) \cdot d \vec{A} = \iint_{S_{3}}(\vec{j_{0}} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t}) \cdot d \vec{A}\notag

我们发现j0+Dtj_{0} + \frac{\partial D}{\partial t}在这个过程中进出是相等的,1曲面没有位移电流,3曲面没有自由电流,位移电流ID=I0I_{D} = I_{0}

引入三个物理量

{ΦD=DdA electric displacement flux 电位移通量iD=dΦDdt=DtdA displacement current 位移电流jD=Dt displacement current density 位移电流密度\left\{ \begin{matrix} \Phi_{D} = \iint \vec{D} \cdot d \vec{A} \ electric \ displacement \ flux \ 电位移通量 \\ i_D = \frac{d\Phi_{D}}{dt} = \iint \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \cdot d \vec{A} \ displacement \ current \ 位移电流 \\ \vec{j_{D}} = \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \ displacement \ current \ density \ 位移电流密度 \end{matrix} \right.\notag

所以我们就得到了新的安培环路定理:

Hdl=i0+iD=(j0+Dt)dA\oint \vec{H} \cdot d \vec{l} = i_{0} + i_{D} = \iint(\vec{j_{0}} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t}) \cdot d \vec{A}\notag

考虑下图的电容器充电,两极板间有位移电流IDI_{D},外边电路有自由电流I0I_{0},我们想证明ID=I0I_{D} = I_{0}

!!! note 电容器之间电场E=σeϵ0=qϵ0AE = \frac{\sigma_{e}}{\epsilon_{0}} = \frac{q}{\epsilon_{0}A},σe\sigma_{e}是面电荷密度,等于qA\frac{q}{A}

$q = \epsilon_{0}AE = \epsilon_{0} \Phi_{E} = AD$

(我们知道$D = \epsilon_{0} \vec{E} + \vec{P}$,电介质没有介质时,$\vec{P} = 0$,所以$D = \epsilon_{0}E = \Phi_{E}$)

$$
\Rightarrow i_{0} = \frac{dq}{dt} = \epsilon_{0} \frac{d\Phi_{E}}{dt} = \frac{d\Phi_{D}}{dt} = i_{D}
$$

我们就证明了$i_{D} = i_{0}$

如果电容器充满电,i0=iD=0i_{0} = i_{D} = 0

变化的电场产生磁场,变化的磁场产生电场,这就是麦克斯韦方程.

最后可以得到:

Hdl=JdS+DtdS×H=J+Dt\oint \vec{H} \cdot d\vec{l} = \iint \vec{J} \cdot d \vec{S} + \iint \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \cdot d\vec{S} \\ \nabla \times \vec{H} = \vec{J} + \frac{\partial D}{\partial t}\notag

最终得到麦克斯韦方程组: